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AOD4126  与  IPD25CN10N G  区别

型号 AOD4126 IPD25CN10N G
唯样编号 A-AOD4126 A-IPD25CN10N G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) 55 -
宽度 - 6.22mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 24mΩ@20A,10V 25mΩ
上升时间 - 4ns
Rds On(Max)@4.5V 30mΩ -
Ciss - 1560.0pF
Qg-栅极电荷 - 31nC
Rth - 2.1K/W
Qgd(nC) 10 -
Coss - 232.0pF
栅极电压Vgs ±25V 2V,4V
正向跨导 - 最小值 - 19S
Td(on)(ns) 12 -
封装/外壳 TO-252 DPAK (TO-252)
连续漏极电流Id 43A 35A
工作温度 -55℃~175℃ -55°C~175°C
Ciss(pF) 1770 -
配置 - Single
Ptot max - 71.0W
长度 - 6.5mm
QG - 23.0nC
下降时间 - 3ns
高度 - 2.3mm
Trr(ns) 20 -
Budgetary Price €€/1k - 0.37
Td(off)(ns) 17 -
漏源极电压Vds 100V 100V
Moisture Level - 1 Ohms
Pd-功率耗散(Max) 100W 71W
Qrr(nC) 82 -
VGS(th) 4 -
典型关闭延迟时间 - 13ns
FET类型 N-Channel N-Channel
Mounting - SMT
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS2
典型接通延迟时间 - 10ns
Coss(pF) 165 -
Qg*(nC) 28* -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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